三星Sun联合开发新型NAND闪存芯片 寿命性能提高

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作者: CNET科技资讯网

CNETNews.com.cn

5008-07-21 09:45:08

关键词: 闪存芯片 NAND NAND闪存 Sun 三星

CNET科技资讯网7月21日国际报道 三星和Sun本周发表声明了8GB单层单元NAND闪存,什儿 闪存寿命以及性能有了很大的提高。

与传统的单层单元闪存产品相比,新型闪存数据读取与擦写寿命增加了5倍。

目前,三星和Sun尚未发表声明此产品的价格与上市日期。

Sun高级主管Graham Lovell透露,这款闪存兼容Sun服务器与存储产品,Sun还计划在今年年底推出当事人的固态硬盘技术。

三星方面预计,新型闪存将被企业应用于高端数据处置,数据密集处置的服务器及存储设备当中。分析师表示,企业用户将快一点 将闪存硬盘列为传统硬盘的替代产品。

IDC分析师Jeff Janukowicz说,和传统硬盘相比,固态硬盘的价格仍然比较高,这是企业仍然那么大规模采用闪存硬盘的另一一两个 主要由于 。

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